光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí)，深紫外光譜橢偏儀也是*的?？梢?jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然，如果必須確定光學(xué)常數(shù)，則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置，如波長(zhǎng)分辨率，角度范圍等，將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。

光譜橢偏儀特征：

•基于Window軟件，易于操作；

•*光學(xué)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能；

•高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應(yīng)用；

•基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng)，確?？焖贉y(cè)量；

•用戶(hù)可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層；

•能夠用于實(shí)時(shí)或在線(xiàn)厚度，折射率監(jiān)測(cè)；

•系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)；

•高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶(hù)對(duì)每個(gè)膠片使用NK表，色散或有效介質(zhì)近似（EMA）；

•三種不同的用戶(hù)級(jí)別控制：工程師模式，系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶(hù)模式；

•靈活的工程模式，適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試；

•強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規(guī)測(cè)量；

•可按照用戶(hù)偏好配置測(cè)量參數(shù)，操作簡(jiǎn)便；

•系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化；

•直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口，無(wú)需外部光學(xué)元件；

•精確的高度和傾斜程度調(diào)整；

•適用于許多不同類(lèi)型的不同厚度的基材；

•各種選項(xiàng)，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長(zhǎng)擴(kuò)展，焦點(diǎn)等；

•2D和3D輸出圖形以及用戶(hù)數(shù)據(jù)管理界面；

光譜橢偏儀應(yīng)用：

•半導(dǎo)體制造（PR，氧化物，氮化物......）

•液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）

•法醫(yī)學(xué)，生物學(xué)材料

•油墨，礦物學(xué)，顏料，調(diào)色劑

•制藥，醫(yī)療器械

•光學(xué)涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......

•半導(dǎo)體化合物

•MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•無(wú)定形，納米和硅晶圓

•太陽(yáng)能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....

光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù)：