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隨著半導(dǎo)體集成工藝進入3nm及以下技術(shù)節(jié)點，傳統(tǒng)硅基晶體管出現(xiàn)漏電功耗增大，短溝道效應(yīng)加劇等問題，對集成電路的性能與可靠制造產(chǎn)生嚴(yán)重的影響［1~3］.近年來，以過渡金屬硫族化合物（TMDCs）為代表的二維納米材料因具有原子級物理厚度，優(yōu)異的機械柔韌性和較高的載流子遷移率［4~6］，成為未來可替代傳統(tǒng)硅基材料以延續(xù)摩爾定律發(fā)展的重要候選新材料之一［7~10］.作為二維（2D）TMDCs的代表性材料，WSe2是繼WS2和MoS2之后備受關(guān)注的一種二維原子晶體，具有很高的導(dǎo)通電流密...

聚合物包覆改善二維鈣鈦礦(FPEA)2PbI4光學(xué)性能摘要：環(huán)境因素（如光照、水蒸氣、氧氣等）會引發(fā)二維鈣鈦礦材料的降解，其穩(wěn)定性極大地限制該材料的進一步發(fā)展及市場化進程。利用氟化物的強穩(wěn)定性與疏水性，將其以含氟苯y(tǒng)i胺的形式引入二維鈣鈦礦的有機層，可以有效地改善二維鈣鈦礦穩(wěn)定性，但是熒光效率有所降低。針對這一問題，本文采用聚苯乙烯（PS）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、環(huán)烯烴聚合體（COP）三種高分子聚合物對二維鈣鈦礦薄膜進行包覆，使其熒光強度分別得到2.2、1.3和1.4...

文章內(nèi)容：1.二氧化硅材料的重要性與挑戰(zhàn)二氧化硅（SiO?）是地殼中含量極豐富的礦物之一，廣泛存在于玻璃、陶瓷、微電子器件和建筑材料中。其化學(xué)穩(wěn)定性高、耐高溫、環(huán)境友好等特點使其成為工業(yè)和科研領(lǐng)域的“明星材料”。然而，二氧化硅表面富含羥基（-OH），導(dǎo)致其親水性強，容易吸附水分子，這限制了其在需要疏水性能的場景（如防水涂層、自清潔材料）中的應(yīng)用。此外，納米二氧化硅顆粒因表面能高，易團聚，影響其在復(fù)合材料中的分散性。2.表面潤濕性改性的核心思路要解決二氧化硅的親水性問題，關(guān)鍵在...

文章基本信息標(biāo)題：Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能作者：閆衛(wèi)星、郭艷文、徐行浩、黃曉梅、曹海建期刊：《復(fù)合材料學(xué)報》2025年第42卷第1期研究背景與意義隨著國際局勢緊張，防dan材料需求激增，輕量化、高防護性能成為核心需求。Kevlar纖維因其高強度、高模量、耐高溫等特性，成為防dan領(lǐng)域的理想材料。然而，其表面光滑、與樹脂基體結(jié)合性差的問題限制了應(yīng)用。本文通過優(yōu)化樹脂配比、工藝參數(shù)及結(jié)構(gòu)設(shè)計，探索該Kevlar纖維UD片材復(fù)合材料的防dan性能提升方案。實驗...

文章基本信息標(biāo)題：組坯結(jié)構(gòu)對竹束單板層壓板物理力學(xué)性能的影響作者：張文福、王戈等（國際竹藤網(wǎng)絡(luò)中心、黑龍江省林產(chǎn)工業(yè)研究所）期刊：《中南林業(yè)科技大學(xué)學(xué)報》2012年02期關(guān)鍵詞：竹束單板、層壓板、力學(xué)性能、耐水性能、連接性能研究背景與意義竹子作為可再生資源，具有生長快、強度高的特點。竹束單板層壓板是一種新型工程材料，通過將竹材加工成松散纖維束，再熱壓成型，可替代傳統(tǒng)木材或金屬用于建筑、家具等領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)順紋層壓板雖然縱向強度高，但橫向連接性能差（如螺栓連接易劈裂），限制了...

WABASH平板硫化機是一種用于橡膠、塑料等材料硫化的設(shè)備，在工業(yè)生產(chǎn)中扮演著重要角色。平板硫化機主要應(yīng)用于橡膠制品的生產(chǎn)，包括輪胎、膠鞋、密封圈等產(chǎn)品。硫化過程是橡膠制造中至關(guān)重要的一步，平板硫化機的作用就是提供必要的溫度和壓力環(huán)境，使橡膠分子交聯(lián)，從而提高其物理性質(zhì)和使用壽命。WABASH平板硫化機的主要組成部分：1.加熱板：加熱板是設(shè)備的核心部件，它提供熱量以促進橡膠硫化。加熱板的材料通常采用高導(dǎo)熱性能的鋼材，確保熱量能夠均勻傳遞到模具中。2.壓力系統(tǒng)：平板硫化機的壓力...

引線鍵合是芯片和外部封裝體之間互連最常見和有效的連接工藝。我們來講講鍵合工藝中會遇到的問題：一．鍵合工藝差錯造成的失效1.焊盤出坑出坑通常出現(xiàn)于超聲波鍵合中,是指對焊盤金屬化層下面半導(dǎo)體材料層的損傷。這種損傷有時是肉眼可見的凹痕,更多是不可見的材料結(jié)構(gòu)損傷。這種損傷將降低器件性能并引發(fā)電損傷。其產(chǎn)生原因如下:(1)超聲波能量過高導(dǎo)致Si晶格層錯;(2)楔鍵合時鍵合力過高或過低:(3)鍵合工具對基板的沖擊速度過大,一般不會導(dǎo)致Si器件出坑,但會導(dǎo)致(3)GaAs器件出坑;(4)...